دانلود تحقیق درمورد ترانزيستور اثر ميداني

0 6.9k

لینک کوتاه https://filebank.pdf-doc.ir/p/9e34c2b |

با دانلود تحقیق در مورد ترانزيستور اثر ميداني در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق ترانزيستور اثر ميداني را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق ترانزيستور اثر ميداني ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد ترانزيستور اثر ميداني

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:90 صفحه

قسمتی از فایل:

مقدمه

ترانزيستور اثر ميداني (يا به اختصار FET) قطعه‌اي سه پايانه است كه در موارد بسياري بكار مي‌رود و در مقياس وسيعي با ترانزيستور BJT رقابت مي‌كند. اگرچه اختلافات مهمي بين اين دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسياري نيز بين آنها وجود دارد كه در بخشهاي بعد به آن اشاره خواهد شد.

اختلاف نخست بين او دو نوع ترانزيستور در آن است كه ترانزيستور BJT همانگونه كه در شكل (الف 1ـ1) نشان داده شد يك قطعه كنترل جريان است، در حاليكه ترانزيستور JFET همانگونه كه در شكل (ب 1ـ1) ديده مي‌شود يك قطعه كنترل ولتاژ است. به بيان ديگر، جريان I_C در شكل (الف 1ـ1) تابع مستقيم مقدار I_B است. در FET جريان I تابعي از ولتاژ V_GS است كه مطابق شكل (ب 1ـ1) به ورودي مدار اعمال مي‌شود. در هر حالت جريان مدار خروجي با يك پارامتر ورودي كنترل مي‌شود. در يك حالت بوسيله جريان و در ديگري بوسيله ولتاژ اعمال شده.

شكل (1ـ1) (الف) تقويت كننده كنترل جريان (ب) تقويت كننده كنترل ولتاژ

درست مانند ترانزيستورهاي npn و pnp قطبي، ترانزيستورهاي اثر ميداني نيز از دو نوع كانال n و كانال p هستند. از اينرو، مهم است به خاطر داشته باشيد كه ترانزيستور BJT يك قطعه دو قطبي (bipolar) است. يعني ميزان هدايت در آن تابع دو نوع حامل است: الكترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌اي تك‌قطبي است كه فقط به هدايت اكلترون در (كانال n) و يا حفره (كانال p) وابسته است.

عبارت «اثر ميداني در نام اين ترانزيستور با خود توضيحاتي را بهمراه دارد. ما همه با توانايي يك مغناطيس دائمي آشنا هستيم كه براده‌هاي فلزي را بدون تماس واقعي به سوي خود مي‌كشد. ميدان مغناطيسي يك مغناطيس دائمي براده‌هاي آهن را در امتداد خطوط شار مغناطيسي جذب مي‌كند. در FET، بوسيله بارهاي آن ميدان الكتريكي بوجود مي‌آيد كه مسير هدايت جريان خروجي را كنترل مي‌كند بدون تماس مستقيم بين كنترل كننده و كميتهاي كنترل شونده.

اين تمايل طبيعي است كه دومين قطعه را با تعدادي از كاربردهاي مشابه قطعه اول معرفي كرده و برخي مشخصه‌هاي آن را با هم مقايسه كنيم. يكي از مهمترين شاخصه‌اي FET، امپدانس ورودي زياد آن است. مقاومت ورودي آن در اندازه‌هاي 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودي ترانزيستور BJT بيشتر مي‌شود. و اين شاخصه‌اي است كه در طراحي سيستمهاي تقويت ac خطي بسيار مهم است. به به عبارت ديگر، با ولتاژ اعمال شده يكسان تغيير در جريان خروجي معمولاً براي BJT بيشتر از FETها است. به همين دليل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقويت كننده‌هاي BJT خيلي بيشتر از FETهاست. بطور كلي، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها كوچكترند و اين امر بطور ويژه كاربردشان را در تراشه‌هاي مدار مجتمع (آي‌سي) كارآمد مي‌سازد. مشخصه‌هاي ساختمان برخي FETها در بكارگيري آنها بسيار موثر است.

دو نوع FET در اين فصل معرفي مي‌شود: ترانزيستور اثر ميداني پيوندي (JFET) و ترانزيستور اثر ميداني اكسيد فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهي و افزايشي تقسيم مي‌شوند كه هر دو نوع آن شرح داده مي‌شوند. ترانزيستور MOSFET يكي از مهمترين قطعات مورد استفاده در طراحي و ساخت مدارهاي مجتمع كامپيوترهاست. ثبات حرارتي، و ديگر مشخصه‌هاي اصلي آنها، كاربردشان را در طراحي مدارهاي كامپيوتري متداول ساخته است.